2N7002-7-F
制造商:
Diodes Incorporated
制造商物料号#:
2N7002-7-F
规格书:
描述:
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET） SOT-23-3 SMD/SMT N-Channel 通道数量:1 300 mW 70 V 连续漏极电流（ID）:115 mA 223 pC
| 参数项 | 值 |
|---|---|
| 额定电压值（DC） | 60 V |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 端接 | SMD/SMT |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 引脚数量 | 3 |
| 阻值 | 7.5 Ω |
| 高度 | 1 mm |
| 包装方式 | Reel |
| 辐射硬化 | No |
| RoHS | Compliant |
| 电压 | 60 V |
| SVHC达标 | No SVHC |
| 触点电镀 | Tin |
| 元件数 | 1 |
| 电流 | 115 A |
| 额定电流 | 115 mA |
| 最大功耗 | 300 mW |
| 功耗 | 300 mW |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 通道数量 | 1 |
| 输入电容 | 50 pF |
| 连续漏极电流（ID） | 115 mA |
| 最大漏 - 源导通电阻 | 7.5 Ω |
| 漏 - 源电压 | 60 V |
| 导通延迟时间 | 2.8 ns |
| 关断延迟时间 | 7.6 ns |
| 配置 | Single |
| 下降时间 | 5.6 ns |
| 上升时间 | 3 ns |
| 双电源电压 | 60 V |
| 栅极电荷 | 223 pC |
| 漏源导通电阻 | 5 Ω |
| 最高结点温度（Tj） | 150 °C |
| 标准Vgs | 2.5 V |
| 栅 - 源电压 | 20 V |
| 漏 - 源击穿电压 | 70 V |
| 附表B | 8541210080 |
| 栅 - 源阈值电压 | 1 V |
| FET类型 | N-Channel |
库存: 89746
销售商
pcbx
pcbx单价¥0.30110
总价¥0.30110
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ¥0.30110 | ¥0.30110 |
| 10 | ¥0.15055 | ¥1.50550 |
| 50 | ¥0.13396 | ¥6.69800 |
| 100 | ¥0.11920 | ¥11.92000 |
| 500 | ¥0.10608 | ¥53.04000 |
| 1000 | ¥0.09438 | ¥94.38000 |
| 3000 | ¥0.08404 | ¥252.12000 |
| 5000 | ¥0.07711 | ¥385.55000 |
| 10000 | ¥0.07078 | ¥707.80000 |